RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
79
Около 66% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
79
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
14.1
Скорость записи, Гб/сек
6.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1411
1651
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Сравнения RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link