RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
62
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.0
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
62
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
5.5
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
1586
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link