RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
38
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
38
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
13.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
2346
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link