RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.3
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
3093
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link