RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3914
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link