RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
21.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
19.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
4394
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link