RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
75
Около -226% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
23
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
3004
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link