RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
62
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
62
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.3
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
1586
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link