RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
58
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
56
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
1964
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link