RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2971
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link