RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2346
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link