RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против INTENSO 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
INTENSO 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
12.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2061
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link