RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2340
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link