RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
64
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
64
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1948
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link