RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
54
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2873
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link