RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
42
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
18
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
20.4
Скорость записи, Гб/сек
6.0
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3529
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre 0000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link