RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
21.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3448
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link