RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
71
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
47
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2537
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link