OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

-->

Средняя оценка

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 34

Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2% выше полоса пропускания

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 34
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 12.7
Скорость записи, Гб/сек

14.5 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 21300

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3692 1718

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

Kingston 9905702-400.A00G 8GB

Kingston 9905702-400.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM