RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2283
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link