RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2438
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link