RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2583
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link