PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

总分
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

总分
star star star star star
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 35
    左右 23% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    14.1 left arrow 13.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 35
  • 读取速度,GB/s
    13.8 left arrow 14.1
  • 写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 9.0
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2274 left arrow 2583
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较