RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
79
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,468.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
79
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,061.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,468.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
422
3318
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Сравнения RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link