RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
85
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
85
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1118
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link