RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
52
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
52
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
7.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2260
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link