RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
81
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
81
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
8.5
Скорость записи, Гб/сек
7.7
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1651
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link