RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
3178
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link