RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
25
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2822
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link