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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
21
读取速度,GB/s
16.1
17.7
写入速度,GB/s
10.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2822
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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