RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
12.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2490
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link