RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2516
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link