RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2854
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link