RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
69
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3649
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link