RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
58
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3260
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link