Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.5

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 46

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.8 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 3200

Около 6.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 32
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 15.5
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 21300

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2968

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB

Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

модули RAM

Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB

Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

модули RAM