RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingston 9965690-002.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
60
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
9.7
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 23 29 37 38
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1859
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link