RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
77
Около -40% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
55
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
21.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2457
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link