RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
77
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
57
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
9.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2213
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link