RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
77
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
57
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2213
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9965426-405.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link