Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 37

Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 7.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 37
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 10.4
Скорость записи, Гб/сек

12.0 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 2230

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9905701-032.A00G 16GB

Kingston 9905701-032.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB

Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

модули RAM