RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
37
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2250
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link