RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
16800
10600
Около 1.58 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
11.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
16800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2318
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link