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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
16800
10600
Autour de 1.58 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
16800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2318
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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