RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
39
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3289
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link