RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.7
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
3258
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link