RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2236
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link