RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3134
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link