RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
79
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
79
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
1651
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link