RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
47
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3845
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link